最先端3D半導体製造でのドライエッチングガス。東京エレクトロンの子会社が23年６月に開発した深さ10μｍ、400層を超える3D-NAND型フラッシュメモリ向け超高速かつ地球温暖化計数84%削減を実現したメモリチャンネルホールエッチング技術に使われる。これまでのドライエッチングにはないマイナス60℃以下の低温領域でのプロセスとなる。３次元積層化が進む半導体において高速、高アスペクト比のエッチングを可能とし、さらに地球温暖化計数が低いという特長を持っており、3D-NANDだけでなくDRAMやロジック向けへの応用も期待されている。